真空腔體在半導體制造中扮演關鍵角色，為光刻、薄膜沉積、離子注入等精密工藝提供純凈、穩定的真空環境。其加工制造涵蓋材料選擇、精密加工、表面處理等環節，當前面臨材料加工難度、密封性能控制等技術挑戰。

真空腔體的制作材料選擇需要綜合考慮強度、放氣率、耐腐蝕性以及特定環境適應性等因素。金屬材料中，不銹鋼憑借優異的耐腐蝕性和低放氣率成為超高真空系統的*選，常用于半導體刻蝕腔體和粒子加速器；鋁合金則以輕量化和高導熱性見長，適用于衛星推進劑儲罐等需要減輕重量的場合；鈦合金因其無磁性和耐高溫特性，多用于航空航天部件。非金屬材料方面，石英玻璃耐高溫且透光性好，適合高溫觀察窗等應用，而工業陶瓷則因其出色的電絕緣性能被廣泛用于半導體設備。復合材料如鋁碳化硅結合了金屬和陶瓷的優點，在精密光學平臺中表現突出。選材時還需特別注意材料的放氣率控制和環境適應性，例如等離子體環境優先考慮耐蝕性更好的陶瓷或鈦合金。隨著技術進步，新型特種合金和功能涂層的開發正在推動真空腔體材料向更高性能方向發展。