高阻霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)JH60E技術(shù)指標(biāo)：

* 磁 場：10mm 間距為 2T ；30mm 間距為 1T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V

* 提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* 最小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計(jì)或數(shù)采板可計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10^-4~10⁸Ω.cm

* 電阻范圍：10 mΩ-100GΩ

* 載流子濃度：6*10⁸~10²³cm^-3

* 遷移率：1~10⁶cm²/vs

* 控溫精度: 0.1K

* 溫區(qū)：4K-773K（選配）

* 霍爾系數(shù)：±1*10^-5~±1*10¹⁰cm³/C

* 測試全自動化，一鍵處理

* 可實(shí)現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測量

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各系統(tǒng)參數(shù)：

高精度電磁鐵

極頭直徑 100mm;

N，S 間距 10mm 時*大磁場 20000Gs;

N，S 間距 20mm 時*大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時*大磁場 10000 高斯;

均勻區(qū)：間距 60mm 時直徑 10mm均勻度范圍; 1%

自重 110 公斤 含支架及輪子

高精度雙極性恒流電源

輸出： ±10A±80V 功率；800W

① 電源輸出電流可在正負(fù)額定*大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點(diǎn)，非開關(guān)換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負(fù)載）

④ 電流變化速率可設(shè)置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流）

※ 電流穩(wěn)定度高，紋波低

①電流穩(wěn)定度：優(yōu)于±25ppm/h（標(biāo)準(zhǔn)型）；優(yōu) 于±5ppm/h（高穩(wěn)型）

② 電流準(zhǔn)確度：±（0.01%設(shè)定值+1mA）

③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應(yīng)：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）

⑤ 負(fù)載效應(yīng)：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負(fù)載變化 10%時，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

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高精度高斯計(jì)：

精度：讀數(shù)的±0.30% ;

分辨力：0.01mT 量程:0-3T ;

探頭厚度:1.0mm ;

長度 100mm 數(shù)字;

Rs-232 接口數(shù)據(jù)讀取軟件配 GP3 型探頭

高斯計(jì)探頭支架及樣品架 全鋁非導(dǎo)磁支架 5-70mm 可調(diào)

樣品架夾具（按要求定制）

霍爾效應(yīng)系統(tǒng)軟件 可數(shù)字化調(diào)節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數(shù)

高溫恒溫器： （293K-470K）高低溫真空容器

TESK301恒溫儀： 控溫（65k-600k)

真空泵 K25 真空泵

恒流源及測試表

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；

高精度電壓數(shù)采儀范圍 0. 1uV-30V

精度：0.01%

內(nèi)置測試矩陣轉(zhuǎn)換卡；

歐姆接觸套件 根據(jù)不同材料的歐姆接觸制作套件

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系統(tǒng)組成：

 高阻霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)由電磁鐵、真空泵、高溫真空腔、高斯計(jì)、恒流源、電磁鐵電流源、控溫儀和計(jì)算機(jī)及軟件組成。其中，電磁鐵電流源給電磁鐵提供電流產(chǎn)生磁場；高斯計(jì)測量電磁鐵產(chǎn)生的均勻磁場值；恒流源一方面給樣品提供樣品測試電流，用于霍爾效應(yīng)測試，一方面用來測量樣品反饋的霍爾電壓；被測樣品置于高溫真空腔中，由高溫膠固定，并作為四個測試點(diǎn)；高溫真空腔引出 4 根導(dǎo)線，兩個連接控溫儀進(jìn)行溫度的測量及控制，另 1 根是高溫探頭引線連接到高斯計(jì)上，還有 1 根是霍爾樣片連接線連接到恒流源上；計(jì)算機(jī)連接高斯計(jì)、控溫儀、恒流源和電磁鐵電流源，通過軟件實(shí)現(xiàn)控制通過被測樣品的電流和磁場值，并獲取測得的電壓值。

可測試材料: ?

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等