半導體材料的霍爾效應測試

半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據霍爾系數的符號判斷材料的導電類型。霍爾效應本質上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能;通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布;測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環境等特點。

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