高阻霍爾效應測試系統JH60E產品概述：

本儀器系統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻）(Magnetoresistance)等

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高溫霍爾效應測試系統JH60E技術指標：

* 磁 場：10mm 間距為 2T 30mm 間距為 1T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調節 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V

* 提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* 小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數、載流子濃度等參數隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：103~1023cm-3

* 遷移率：0.1~108cm2/volt*sec

* 溫度調節 0.1K

* 溫區：293K-470K

* 測試全自動化，一鍵處理

* 可實現相同溫差間的連續測量

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各系統參數：

高精度電磁鐵

極頭直徑 100mm;

N，S 間距 10mm 時大磁場 20000Gs;

N，S 間距 20mm 時大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時大磁場 10000 高斯;

均勻區：間距 60mm 時直徑 10mm均勻度范圍; 1%

自重 110 公斤 含支架及輪子

高精度雙極性恒流電源

輸出： ±10A±80V 功率；800W

① 電源輸出電流可在正負額定大電流之間連續變化

② 電流可以平滑過零點，非開關換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）

④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定大輸出電流）

※ 電流穩定度高，紋波低

①電流穩定度：優于±25ppm/h（標準型）；優 于±5ppm/h（高穩型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）

⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）

⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA

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高精度高斯計：

精度：讀數的±0.30% ;

分辨力：0.01mT 量程:0-3T ;

探頭厚度:1.0mm ;

長度 100mm 數字;

Rs-232 接口數據讀取軟件配 GP3 型探頭

高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調

樣品架夾具（按要求定制）

霍爾效應系統軟件 可數字化調節磁場及電流,測試各類材料參數

高溫恒溫器： （293K-470K）高低溫真空容器

TESK301恒溫儀： 控溫（65k-600k)

真空泵 K25 真空泵

恒流源及測試表

恒流源量程：±50nA-±50mA；

分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續可調；

高精度電壓數采儀范圍 0. 1uV-30V

精度：0.01%

內置測試矩陣轉換卡；

歐姆接觸套件 根據不同材料的歐姆接觸制作套件

系統組成：

高溫霍爾效應測試系統由電磁鐵、真空泵、高溫真空腔、高斯計、恒流源、電磁鐵電流源、控溫儀和計算機及軟件組成。其中，電磁鐵電流源給電磁鐵提供電流產生磁場；高斯計測量電磁鐵產生的均勻磁場值；恒流源一方面給樣品提供樣品測試電流，用于霍爾效應測試，一方面用來測量樣品反饋的霍爾電壓；被測樣品置于高溫真空腔中，由高溫膠固定，并作為四個測試點；高溫真空腔引出 4 根導線，兩個連接控溫儀進行溫度的測量及控制，另 1 根是高溫探頭引線連接到高斯計上，還有 1 根是霍爾樣片連接線連接到恒流源上；計算機連接高斯計、控溫儀、恒流源和電磁鐵電流源，通過軟件實現控制通過被測樣品的電流和磁場值，并獲取測得的電壓值。

可測試材料: ?

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等